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倒置微光显微镜iPHEMOS系列
该仪器设计紧凑,高度仅为80cm,因此可与多种测试机方便地对接。其配备的高灵敏度InGaAs相机以及多种激光选配件扩大了其动态分析的范围。
特性
高精度级的多相机平台
灵活的系统设计
多种探测器,可观测低压工作IC
倍率从1×到100×,多种镜头可选(可选配10镜头转台)
背面观测探针可测量从整个300mm晶片到单个die的范围
简化了测试机头对接,便于动态分析
用户友好型操作系统
易于升级,有利于后期应用
高分辨率模板图像
选配
高分辨率、高灵敏度观测用纳米透镜
使用纳米透镜可增加数值孔径,显著提高分辨率和光采集效率。这样可以减少探测时间,却可以提供更好的分辨率。
红外-光致阻值改变(IR-OBIRCH)分析功能
极受欢迎的红外-光致阻值改变(IR-OBIRCH)分析功能可作为选配增加到仪器中,来探测漏电流或静态电流缺陷(leakage or IDDQ defects)等的线缺陷
使用数字lock-in组件,可提高IR-OBIRCH分析的探测功能
软件提供的数字lock-in功能即使是很短的图像采集时间,也可以保证获得比模拟lock-in更清晰和锐利的图像。
激光辐射的动态分析功能
使用激光束照射,来观测器件工作中的状态变化(通过或者失败),以分析功能缺陷
序列测量软件
通过使用者执行一套流程,该功能可自动进行微光/IR-OBIRCH观测。连接半自动探针后,微光/IR-OBIRCH图像可按照序列测量并保存。连接大规模集成电路测试机或者外部电源也可以进行测量。
EO探针单元C12323-01
EO探针单元是一款工具,通过使用非连续光源,透过硅基底来观察晶体管状态。
配置
参数
产品名称 | iPHEMOS-SD |
---|---|
尺寸/重量*1 | 主单元:805 mm (W)×915 mm (D)×1180 (775*2) mm (H), Approx. 500 kg*2 控制台:880 mm (W)×1000 mm (D)×1775 mm (H), Approx. 200 kg |
*1:重量因配置不同而改变。
*2:高度等于iPHEMOS-SD上样品边缘的高度。
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