μAMOS红外共焦激光失效分析仪_报价-滨松光子学商贸（中国）有限公司

红外-光致阻值改变（IR-OBIRCH）分析系统“μAMOS”是一款半导体失效分析仪，使用IR-OBIRCH方式来定位漏电流路径和LSI器件中的异常阻抗接触部件。在特定频率下，使用lock-in单元来探测OBIRCH信号可大大提高信噪比。而且，通过使用大电流探针头，也可以对大电流高电压工作的器件进行分析。

特性

图像空间分辨率高
背面观测（λ=1.3 μm）
可观测高掺杂基底（Epi-sub）
使用红外激光（λ=1.3 μm）意味着在半导体视场内不会产生OBIC信号，因此可探测到缺陷引发的OBIRCH信号
可以测量4象限电压/电流
可升级到微光显微镜（选配）

应用

漏电流路径定位

IDDQ失效分析

金属缺陷探测

金属线缺陷探测（空，硅节）
触控（过孔）异常阻抗部件探测
金属化过程监控

*:IDDQ (Quiescent power supply current，静态供电电流)：IDDQ为MOS管开关完成后流过的静态供电电流。

参数

产品名称	uAMOS-1000
尺寸/重量	主单元：1360 mm(W)×1410 mm(D)×2120 mm(H)， Approx. 900 kg 控制台：880 mm (W)×700 mm (D)×1542 mm (H)， Approx. 255 kg 选配桌：1000 mm (W)×800 mm (D)×700 mm (H)， Approx. 45 kg
线电压	AC220 V (50 Hz/60 Hz)
功耗	约 3000W
真空度	约80 kPa或更大
压缩空气	0.5 MPa to 0.7 MPa

可用器件

晶片^*	前面	切块后的芯片到300mm晶片
晶片^*	背面	200/300 mm晶片（其他尺寸晶片可通过增加选配来处理）

*：与选用探针的规格有关

封装后IC	前面	芯片打开到表面的IC
封装后IC	背面	镜面抛光到硅基底的IC

红外共焦激光显微镜

	扫描速度（秒/图）
512×512	1	2	4	8
1024×1024	2	4	8	16

激光^*

1.3 μm激光二极管	输出: 100 mW
1.3 μm高功率激光器（选配）	输出: 超过400 mW
1.1 μm脉冲激光器（选配）	输出: 200 mW (CW)， 800 mW (pulse)

*： For 1.3 μm laser， one of two laser can be integrated.

光平台移动范围^*

X	±20 mm
Y	±20 mm
Z	75 mm

*：由于探针或者样品平台的阻碍，该值肯会更小

透镜放大

一个转台可选透镜数达5个。

透镜	数值孔径	WD (mm)	视场	μAMOS-1000
1×: A7649-01	0.03	20	13×13	标配
2×: A8009	0.055	34	6.5×6.5	选配
M-PLAN-NIR-5×: A11315-01	0.14	37.5	2.6×2.6	标配
M-PLAN-NIR-20×: A11315-03	0.40	20	0.65×0.65	标配
M-PLAN-NIR-50×: A11315-04	0.42	17	0.26×0.26	选配
NIR 50×: A8756-01²	0.42	18.3	0.26×0.26	选配
High NA50×: A8018¹²	0.76	12	0.26×0.26	选配
M-PLAN-NIR-100×: A11315-05	0.50	12	0.13×0.13	标配
NIR 100×: A8756-02²	0.50	13.3	0.13×0.13	选配
M-PLAN-NIR-100×HR: A11315-06¹	0.70	10	0.13×0.13	选配
G-PLAN-APO-NIR-100×HR: A11315-08¹²	0.70	6	0.13×0.13	选配

1：用¹来标记的镜头有两种可选

2：用²来标记的镜头带玻璃厚度补偿功能

获取OBIRCH图像

	电压固定型	电流固定型	微电流放大器
施加电压	±10 mV to ±10 V	±10 mV to ±10 V	±10 mV to ±25 V
**电流	100 mA	100 mA	100 μA
探测率	1 nA¹	1 μV²	3 pA¹

1：为输入放大器的**可探测脉冲信号

2：计算值

外形图（单位：mm）

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