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产品分类 |
光学仪器及设备
滨松背照式sCMOS相机ORCA fusionBT
滨松硅光电二极管阵列S4111-35Q
滨松硅光电二极管S1337-33BQ
硅光电二极管S1337-66BQ
滨松微型光电倍增管光子计数探头H12406
滨松光电倍增管R10699
滨松长寿命150W氙灯L11033
滨松氘灯L9518
滨松硅光电二极管S12742-220
滨松硅光电二极管S12742-275
光谱检测分析仪
滨松FTIR光谱仪引擎C15511-01
滨松光学模块C13398-01
滨松光电倍增管R13456
滨松InGaAs线阵图像传感器G13913-128FB
滨松InGaAs线阵图像传感器G13913-256FG
滨松InGaAs线阵图像传感器G14237-512WA
滨松背照式CCD面阵图像传感器S12071
滨松MEMS-FPI近红外光谱探测器C14272
滨松微型光谱仪SMD系列C14384MA-01
滨松C13053MA微型光谱仪
气体检测仪
滨松铟砷锑光伏探测器P11120-201
滨松光电管R6800U-01
滨松光电倍增管R11715-01
滨松光电倍增管R9182-01
滨松铟镓砷PIN光电二极管G12183-010K
滨松砷化铟光伏探测器P10090-11
滨松砷化铟光伏探测器P10090-01
滨松带前置放大器的红外探测器模块C12494-210S
滨松P13894-011NA铟砷锑光伏探测器
滨松P13894-211MA铟砷锑光伏探测器
测量/计量仪器
滨松C11209-110 MPPC(硅光电倍增)模块
C7700-01高动态范围条纹相机
C6138飞秒条纹相机FESCA-200
C11293-02近红外条纹相机
通用型条纹相机
滨松条纹相机
紫外光功率计
光子计数模块
荧光寿命/瞬态吸收分析系统
C11295多点纳米膜厚测量仪
质谱检测分析仪
滨松辅助离子化基板DIUTHAME A13331-3-1
滨松辅助离子化基板DIUTHAME A13331-18-2
滨松辅助离子化基板DIUTHAME A14111-3-1
滨松MCP微通道板F14844
滨松MCP微通道板F14845-11
滨松高压电源模块C14051-15
滨松电子倍增器R4146-10
滨松微通道板MCP F9890-12
滨松电子倍增器R13733
滨松微通道板MCP F13446-11
临床检验仪器设备
C11787系列免疫色谱读取仪
免疫色谱读取仪-荧光型C10066-50
数字切片扫描设备NanoZoomer-XR
数字切片扫描装置(NanoZoomer2.0 HT)
荧光定位仪(PDE)
数字切片扫描装置2.0 RS
数字切片扫描装置NDP C9600-01
水质分析
BHP9510型手持式ATP快速检测仪
BHP9515型便携式生物毒性测试仪
BHP9514型饮用水安全快速检测仪
BHP9515型便携式(发光细菌)生物毒性测试仪
BHP9511水质毒性快速检测仪
BHP9514饮用水安全快速检测仪(发光细菌毒性检测)
半导体行业专用仪器
隐形切割装置
μAMOS红外共焦激光失效分析仪
热点检测微光显微镜THEMOS系列
实时分析微光显微镜TriPHEMOS
倒置微光显微镜iPHEMOS系列
微光显微镜PHEMOS系列
成像系统
双色分光附件
BHP6603型固定角双探头SPECT
BHP6602小型γ相机
BHP6601型SPECT
X射线仪器
碘化铯屏
C4575-03 X射线条纹相机
X射线平板探测器
微焦点X射线源
无损检测/无损探伤仪器
无损检测用X射线平板探测器
X射线探测器
农业和食品专用仪器
ATP荧光快速检测仪
制样/消解设备
数字切片扫描仪NanoZoomer-SQ
其他
L10060 LD加热光源
联系方式 |
产品系列
产品描述
红外-光致阻值改变(IR-OBIRCH)分析系统“μAMOS”是一款半导体失效分析仪,使用IR-OBIRCH方式来定位漏电流路径和LSI器件中的异常阻抗接触部件。在特定频率下,使用lock-in单元来探测OBIRCH信号可大大提高信噪比。而且,通过使用大电流探针头,也可以对大电流高电压工作的器件进行分析。
特性
图像空间分辨率高
背面观测(λ=1.3 μm)
可观测高掺杂基底(Epi-sub)
使用红外激光(λ=1.3 μm)意味着在半导体视场内不会产生OBIC信号,因此可探测到缺陷引发的OBIRCH信号
可以测量4象限电压/电流
可升级到微光显微镜(选配)
应用
漏电流路径定位
IDDQ失效分析
金属缺陷探测
金属线缺陷探测(空,硅节)
触控(过孔)异常阻抗部件探测
金属化过程监控
*:IDDQ (Quiescent power supply current,静态供电电流):IDDQ为MOS管开关完成后流过的静态供电电流。
参数
产品名称 | uAMOS-1000 |
---|---|
尺寸/重量 | 主单元:1360 mm(W)×1410 mm(D)×2120 mm(H), Approx. 900 kg 控制台:880 mm (W)×700 mm (D)×1542 mm (H), Approx. 255 kg 选配桌:1000 mm (W)×800 mm (D)×700 mm (H), Approx. 45 kg |
线电压 | AC220 V (50 Hz/60 Hz) |
功耗 | 约 3000W |
真空度 | 约80 kPa或更大 |
压缩空气 | 0.5 MPa to 0.7 MPa |
可用器件
晶片* | 前面 | 切块后的芯片到300mm晶片 |
背面 | 200/300 mm晶片(其他尺寸晶片可通过增加选配来处理) |
*:与选用探针的规格有关
封装后IC | 前面 | 芯片打开到表面的IC |
背面 | 镜面抛光到硅基底的IC |
红外共焦激光显微镜
扫描速度(秒/图) | ||||
512×512 | 1 | 2 | 4 | 8 |
1024×1024 | 2 | 4 | 8 | 16 |
激光*
1.3 μm激光二极管 | 输出: 100 mW |
1.3 μm高功率激光器(选配) | 输出: 超过400 mW |
1.1 μm脉冲激光器(选配) | 输出: 200 mW (CW), 800 mW (pulse) |
*: For 1.3 μm laser, one of two laser can be integrated.
光平台移动范围*
X | ±20 mm |
Y | ±20 mm |
Z | 75 mm |
*:由于探针或者样品平台的阻碍,该值肯会更小
透镜放大
一个转台可选透镜数达5个。
透镜 | 数值孔径 | WD (mm) | 视场 | μAMOS-1000 |
1×: A7649-01 | 0.03 | 20 | 13×13 | 标配 |
2×: A8009 | 0.055 | 34 | 6.5×6.5 | 选配 |
M-PLAN-NIR-5×: A11315-01 | 0.14 | 37.5 | 2.6×2.6 | 标配 |
M-PLAN-NIR-20×: A11315-03 | 0.40 | 20 | 0.65×0.65 | 标配 |
M-PLAN-NIR-50×: A11315-04 | 0.42 | 17 | 0.26×0.26 | 选配 |
NIR 50×: A8756-012 | 0.42 | 18.3 | 0.26×0.26 | 选配 |
High NA50×: A801812 | 0.76 | 12 | 0.26×0.26 | 选配 |
M-PLAN-NIR-100×: A11315-05 | 0.50 | 12 | 0.13×0.13 | 标配 |
NIR 100×: A8756-022 | 0.50 | 13.3 | 0.13×0.13 | 选配 |
M-PLAN-NIR-100×HR: A11315-061 | 0.70 | 10 | 0.13×0.13 | 选配 |
G-PLAN-APO-NIR-100×HR: A11315-0812 | 0.70 | 6 | 0.13×0.13 | 选配 |
1:用1来标记的镜头有两种可选
2:用2来标记的镜头带玻璃厚度补偿功能
获取OBIRCH图像
电压固定型 | 电流固定型 | 微电流放大器 | |
施加电压 | ±10 mV to ±10 V | ±10 mV to ±10 V | ±10 mV to ±25 V |
**电流 | 100 mA | 100 mA | 100 μA |
探测率 | 1 nA1 | 1 μV2 | 3 pA1 |
1:为输入放大器的**可探测脉冲信号
2:计算值
外形图(单位:mm)